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【2h】

The effect of Si(x)N(y) interlayer on the quality of GaN epitaxial layers grown on Si(111) substrates by MOCVD

机译：Si（x）N（y）中间层对通过MOCVD在Si（111）衬底上生长的GaN外延层质量的影响

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作者
Arslan, E.; Ozturk, M. K.; Ozcelik, S.; Ozbay, E.;
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作者单位

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年度 2009
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en_US
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